FDH047AN08A0

Producentens varenummer:	FDH047AN08A0
Fabrikant:	Rochester Electronics
Del af beskrivelse:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Dataark:	FDH047AN08A0 Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Send fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåde:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMÆRKNING: Rochester Electronics FDH047AN08A0 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	*
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	75 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	6.6 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	310W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	TO-247-3
Pakke / kasse	TO-247-3

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 8135

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	FDH047AN08A0 Rochester Electronics
	FDH055N15A Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDH038AN08A1 Rochester Electronics

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.