BSZ042N04NSG

BEMÆRKNING: Rochester Electronics BSZ042N04NSG er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	OptiMOS™ 3
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	40 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	3700 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	TO-220AB
Pakke / kasse	TO-220-3

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 47574

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	BSZ036NE2LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0901NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ031NE2LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0589NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ042N04NSG Rochester Electronics
	BSZ018NE2LSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ097N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0803LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ021N04LS6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ040N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.