2N6849

BEMÆRKNING: Microsemi 2N6849 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Bulk
Delstatus	Obsolete
FET-type	P-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	6.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	-
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	TO-39
Pakke / kasse	TO-205AF Metal Can

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: Forsendelse samme dag

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.