FDFME2P823ZT

BEMÆRKNING: Rochester Electronics FDFME2P823ZT er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	PowerTrench®
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
FET-type	P-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	20 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	405 pF @ 10 V
FET-funktion	Schottky Diode (Isolated)
Effektdissipation (maks.)	1.4W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhedspakke	6-MicroFET (1.6x1.6)
Pakke / kasse	6-UFDFN Exposed Pad

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 40000

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.