GeneSiC Semiconductor / GA20JT12-247
Billedet er til reference, kontakt os venligst for at få det rigtige billede
GA20JT12-247
| Producentens varenummer: | GA20JT12-247 |
| Fabrikant: | GeneSiC Semiconductor |
| Del af beskrivelse: | TRANS SJT 1200V 20A TO247AB |
| Dataark: | GA20JT12-247 Dataark |
| Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Lagertilstand: | På lager |
| Send fra: | Hong Kong |
| Forsendelsesmåde: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- BEMÆRKNING
- GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.
Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.
Specifikation
| Type | Beskrivelse |
|---|---|
| Serie | - |
| Pakke | Tube |
| Delstatus | Obsolete |
| FET-type | - |
| Teknologi | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Afløb til kildespænding (Vdss) | 1200 V |
| Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (maks.) | - |
| Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | - |
| FET-funktion | - |
| Effektdissipation (maks.) | 282W (Tc) |
| Driftstemperatur | 175°C (TJ) |
| Monteringstype | Through Hole |
| Leverandørens enhedspakke | TO-247AB |
| Pakke / kasse | TO-247-3 |
Lagerstatus: Forsendelse samme dag
Minimum: 1
| Antal | Pris per stk | Udv. Pris |
|---|---|---|
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ |
||
Fragtberegning
US $40 af FedEx.
Ankom om 3-5 dage
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat
Populære modeller
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
 |
GeneSiC Semiconductor |
Tilføjet til kurv!
Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.