TK7J90E,S1E

Producentens varenummer:	TK7J90E,S1E
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Del af beskrivelse:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Dataark:	TK7J90E,S1E Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Send fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåde:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMÆRKNING: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK7J90E,S1E er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	π-MOSVIII
Pakke	Tube
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	900 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	1350 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	200W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	TO-3P(N)
Pakke / kasse	TO-3P-3, SC-65-3

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 12

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	TK7J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.