IPI110N20N3GAKSA1

BEMÆRKNING: Rochester Electronics IPI110N20N3GAKSA1 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	OptiMOS™
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	200 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	88A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	7.1 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	PG-TO262-3
Pakke / kasse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 11795

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	IPI139N08N3GHKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI120N06S403AKSA1 Rochester Electronics
	IPI110N20N3GAKSA1 Rochester Electronics
	IPI100N06S3L04XK IR (Infineon Technologies)
	IPI16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPI100N04S4H2AKSA1 Rochester Electronics
	IPI120N06S4H1AKSA2 IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-04 IR (Infineon Technologies)
	IPI11N03LA IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-03 IR (Infineon Technologies)

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.