SIHB23N60E-GE3

BEMÆRKNING: Vishay / Siliconix SIHB23N60E-GE3 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Tube
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	158mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	2418 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	227W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhedspakke	D²PAK (TO-263)
Pakke / kasse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 1030

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.