IPD122N10N3GBTMA1

BEMÆRKNING: Rochester Electronics IPD122N10N3GBTMA1 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	OptiMOS™
Pakke	Bulk
Delstatus	Obsolete
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.2mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	2.5 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	94W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhedspakke	PG-TO252-3
Pakke / kasse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: Forsendelse samme dag

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	IPD105N04LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD12CN10NG Rochester Electronics
	IPD100N04S402ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD180N10N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPD15N06S2L64ATMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N03LG Rochester Electronics
	IPD122N10N3GBTMA1 Rochester Electronics
	IPD127N06LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.