Billedet er til reference, kontakt os venligst for at få det rigtige billede
Producentens varenummer: | SCTWA90N65G2V-4 |
Fabrikant: | STMicroelectronics |
Del af beskrivelse: | TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247 |
Blyfri status / RoHS-status: | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Lagertilstand: | På lager |
Send fra: | Hong Kong |
Forsendelsesmåde: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Type | Beskrivelse |
---|---|
Serie | - |
Pakke | Tube |
Delstatus | Active |
FET-type | N-Channel |
Teknologi | SiCFET (Silicon Carbide) |
Afløb til kildespænding (Vdss) | 650 V |
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C | 119A (Tc) |
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 50A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
Vgs (maks.) | +22V, -10V |
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds | 3380 pF @ 400 V |
FET-funktion | - |
Effektdissipation (maks.) | 565W (Tc) |
Driftstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Monteringstype | Through Hole |
Leverandørens enhedspakke | HiP247™ Long Leads |
Pakke / kasse | TO-247-3 |
Lagerstatus: 63
Minimum: 1
Antal | Pris per stk | Udv. Pris |
---|---|---|
![]() Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ |
US $40 af FedEx.
Ankom om 3-5 dage
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat