H5N2522LSTL-E

Producentens varenummer:	H5N2522LSTL-E
Fabrikant:	Renesas Electronics America
Del af beskrivelse:	MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
Dataark:	H5N2522LSTL-E Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Send fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåde:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMÆRKNING: Renesas Electronics America H5N2522LSTL-E er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Tape & Reel (TR)
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	250 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	1300 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	75W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhedspakke	4-LDPAK
Pakke / kasse	SC-83

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: Forsendelse samme dag

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	H5N2512FN-E Rochester Electronics
	H5N2901FN-E Rochester Electronics
	H5N2007FN-E Rochester Electronics
	H5N2522LSTL-E Renesas Electronics America
	H5N2007LSTL-E Rochester Electronics
	H5N2901FL-M0-E#T2 Renesas Electronics America
	H5N2513PL-E Rochester Electronics
	H5N2307LSTL-E Rochester Electronics
	H5N2901LSTL-E Rochester Electronics

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.