G3R30MT12J

BEMÆRKNING: GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	G3R™
Pakke	Tube
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	SiCFET (Silicon Carbide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	96A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	±15V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	3901 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	459W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhedspakke	TO-263-7
Pakke / kasse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: Forsendelse samme dag

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.