RM21N650T7

BEMÆRKNING: Rectron USA RM21N650T7 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	-
Pakke	Tube
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (maks.)	±30V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	1950 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	200W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	TO-247
Pakke / kasse	TO-247-3

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: Forsendelse samme dag

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.