PHT6N06LT,135

Producentens varenummer:	PHT6N06LT,135
Fabrikant:	Rochester Electronics
Del af beskrivelse:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Dataark:	PHT6N06LT,135 Dataark
Blyfri status / RoHS-status:	Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand:	På lager
Send fra:	Hong Kong
Forsendelsesmåde:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

BEMÆRKNING: Rochester Electronics PHT6N06LT,135 er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	TrenchMOS™
Pakke	Bulk
Delstatus	Active
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	55 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±13V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	330 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype	Surface Mount
Leverandørens enhedspakke	SOT-223
Pakke / kasse	TO-261-4, TO-261AA

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: 427066

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	PHT6NQ10T,135 Nexperia
	PHT6N06LT,135 Rochester Electronics
	PHT6N06T,135 Rochester Electronics

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.