IPS118N10N G

BEMÆRKNING: IR (Infineon Technologies) IPS118N10N G er tilgængelig på chipnets.com. Vi sælger kun ny og original del og tilbyder 1 års garantitid. Hvis du gerne vil vide mere om produkterne eller ansøge om en bedre pris, så kontakt os venligst, klik på onlinechatten eller send et tilbud til os.

Alle Eelctronics-komponenter vil blive pakket ind meget sikkert med ESD antistatisk beskyttelse.

package

Specifikation

Type	Beskrivelse
Serie	OptiMOS™
Pakke	Tube
Delstatus	Obsolete
FET-type	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerligt afløb (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds til, Min Rds til)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Indgangskapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds	4320 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektdissipation (maks.)	125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype	Through Hole
Leverandørens enhedspakke	PG-TO251-3
Pakke / kasse	TO-251-3 Stub Leads, IPak

KØBEMULIGHEDER

Lagerstatus: Forsendelse samme dag

Minimum: 1

Antal	Pris per stk	Udv. Pris
Pris er ikke tilgængelig, venligst RFQ

Fragtberegning

US $40 af FedEx.

Ankom om 3-5 dage

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Gratis forsendelse på de første 0,5 kg for ordrer over 150$, Overvægt vil blive opkrævet separat

Populære modeller

	IPS105N03LG Rochester Electronics
	IPS135N03LG Rochester Electronics
	IPS105N03LGAKMA1 Rochester Electronics
	IPS12CN10LG Rochester Electronics
	IPS135N03LGAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS10N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPS110N12N3GBKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS118N10N G IR (Infineon Technologies)
	IPS12CN10LGBKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS13N03LA G IR (Infineon Technologies)

Denne vare er blevet tilføjet til din indkøbskurv.